# ハイブリッドボンディング ## 定義 マイクロバンプを置かず、2 枚のダイの金属パッドを直接接触させて融合し、垂直方向の高密度な配線を得る 3D 積層技術である。マイクロバンプ方式より配線ピッチが細かく(AMD の V-Cache と MI300A は 9 μm)、熱伝導もよい。([[@2024__ISCA__Realizing the AMD Exascale Heterogeneous Processor Vision]]) ## 未解決の問い - 計算ダイを I/O ダイの上に積む構成(MI300A)で、積層数や電力密度が増えたとき、電力供給と放熱の限界はどこにあるか。 ## 未編纂の観察 - **SRAM 積層から計算ダイ積層への拡張**: V-Cache は数十 mm² の SRAM を CPU の上に積む用途だった。MI300A は電力の大きい CPU・GPU チップレットを IOD の上に積むため、ボンドパッドビアを再配線層へ直接落として給電し、TSV の冗長でミラー・回転を吸収した。(Source: [[@2024__ISCA__Realizing the AMD Exascale Heterogeneous Processor Vision]]) ## 関連 - 概念: [[チップレット]] / [[High Bandwidth Memory]] / [[APU]] - エンティティ: [[AMD Instinct MI300A]] - ソース: [[@2024__ISCA__Realizing the AMD Exascale Heterogeneous Processor Vision]]